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PJW5N10_R2_00001
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PJW5N10_R2_00001

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta)、5A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 强茂 (Panjit)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.91116 3.91116
10+ 3.33173 33.31734
100+ 2.48938 248.93850
500+ 1.95616 978.08100
1000+ 1.51152 1511.52100
2500+ 1.37817 3445.44750
5000+ 1.28923 6446.18000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.91117
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.91
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规格参数

  • 宽(英寸) thirty-six
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC@10 V
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 最大功耗 3.1W(Ta)
  • 供应商设备包装 SOT-223
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@250A.
  • 制造厂商 强茂 (Panjit)
  • 导通电阻 Rds(ON) 130毫欧姆@2.5A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 707 pF @ 30 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.1A(Ta)、5A(Tc)
  • 材质 -

PJW5N10_R2_00001 产品详情

PJW5N10_R2_00001所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PJW5N10_R2_00001 由 强茂 (Panjit) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PJW5N10_R2_00001价格参考¥3.911166,你可以下载 PJW5N10_R2_00001中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PJW5N10_R2_00001规格参数、现货库存、封装信息等信息!

强茂 (Panjit)

强茂 (Panjit)

PANJIT成立于1986年,生产齐纳二极管、表面安装整流器、玻璃钝化整流器芯片、玻璃钝化结整流器、塑料钝化结整流器、瞬态电压抑制器、半导体和相关产品。近年来,PANJIT扩大了产品范围,于2015年推...

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