9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2066LSS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2066LSS-13参考价格为0.68000美元。Diodes Incorporated DMP2066LSS-13封装/规格：MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP。您可以下载DMP2066LSS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP2066LSN-7是MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3，包括DMP2066系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的SC-59-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.25W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为820pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为4.6A（Ta），最大Id Vgs的Rds为40 mOhm@4.6A，4.5V，Vgs的最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10.1nC@4.5V，Pd功耗为1.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间9.9 ns，上升时间为9.9ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为4.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型导通延迟时间为4.4ns，沟道模式为增强型。
DMP2066LSD-13-HN，带有DIODES制造的用户指南。DMP2066LSD-13-HN采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
DMP2066LSN-7-F，电路图由Diodes制造。DMP2066LSN-7-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
