FDD7N20TM

规格参数

• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 漏源电压标 (Vdss) 200伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
• 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 250 pF@25 V
• 供应商设备包装 TO-252AA
• 漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Tc)
• 最大功耗 43W (Tc)
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V
• 导通电阻 Rds(ON) 690毫欧姆 @ 2.5A, 10V