9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17577Q5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17577Q5AT参考价格为1.5万美元。德州仪器CSD17577Q5AT封装/规格：MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON。您可以下载CSD17577Q5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD17577Q3AT是MOSFET 30V NCH NexFET MOSFET，包括CSD17577Q2系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装外壳设计用于VSONP-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有53 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+85 C，其最小工作温度范围是-40 C，下降时间为4 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为19 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为27nC。
CSD17577Q3A是TI制造的“MOSFET 30V”。CSD17577Q4A可在SON8封装中获得，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 30 V、Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8引脚VSONP EP T/R、MOSFET 30伏、N沟道NexFET Pwr MOSFET”。
CSD17577Q5A是TI制造的“MOSFET 30V”。CSD17577Q 5A采用SON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 30 V、Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8引脚VSONP EP T/R、MOSFET 30伏、N沟道NexFET Pwr MOSFET”。
