9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD19533Q5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD19533Q5AT价格参考1.75000美元。德州仪器CSD19533Q5AT封装/规格：MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON。您可以下载CSD19533Q5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如CSD19533Q5AT价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
CSD19532Q5B是MOSFET N-CH 100V 100A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为4810pF@50V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为100A（Ta），最大Id Vgs的Rds为4.9 mOhm@17A，10V，Vgs的最大Id为3.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为62nC@10V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为6ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为124A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.6V，Rds导通-源极电阻为4.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为48nC，正向跨导Min为84S，信道模式为增强。
CSD19533KCS是MOSFET 100V 8.7mOhm N-CH Pwr MOSFET，包括2.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型的开启延迟时间设计为7 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD19533KCS，上升时间为5 ns，漏极-源极电阻Rds为10.5 mOhm，Qg栅极电荷为27 nC，Pd功耗为188 W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为86 A，正向跨导最小值为115 S，下降时间为2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD19533Q5A是MOSFET N-CH 100V 100A 8SON，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了5 ns的下降时间，提供了63 ns的正向跨导最小特性，Id连续漏极电流设计为75 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1通道数的通道，器件具有VSON-FET-8封装盒，封装为卷轴，Pd功耗为3.2 W，Qg栅极电荷为27 nC，Rds漏极-源极电阻为8.7 mOhms，上升时间为6 ns，系列为CSD19533Q5A，技术是Si，商品名是NexFET，晶体管极性是N沟道，晶体管类型是1N沟道，典型关断延迟时间是16ns，典型接通延迟时间是6ns，Vds漏极-源极击穿电压是100V，Vgs栅极-源极电压是20V，Vgs第h栅极-源阈值电压是2.8V。
