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PSMN2R4-30YLDX是MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK中，提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为LFPAK、Power-SO8，该设备采用MOSFET N沟道、金属氧化物FET型，该设备最大功率为106W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为2256pF@15V，FET特性为逻辑电平门，4.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为100A（Tc），Rds On Max Id Vgs为2.4mOhm@25A，10V，Vgs th Max Id为2.2V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为31.3nC@10V，Pd功耗为106W，下降时间为13.9ns，上升时间为27.5ns，Vgs栅极-源极电压为2.2V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs的栅极-源极阈值电压为2.2V，Rds导通漏极-源极电阻为3.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17.4ns，典型接通延迟时间为16.3ns，Qg栅极电荷为31.3nC，沟道模式为增强。
PSMN2R4-30MLDX是MOSFET 30V N沟道2.4mOhm，包括第2.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在2.2 V Vg栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为19 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为23ns，器件具有3.2mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为51nC，Pd功耗为91W，封装为卷轴式，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为70A，下降时间为13ns，信道模式为增强。
PSMN2R5-30YL，带有NXP制造的电路图。PSMN2R5-30YL在1321 ROHS封装中提供，是FET的一部分-单个。
