特色
- 装配底座：2.3 V
- 装配底座：16 mΩ
- 装配底座：11 mΩ
- 装配底座：510 pF
- 装配底座：7.5 nC
应用
开关稳压器/DC-DC转换器
TPN11006NL,LQ
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 700mW (Ta), 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-TSON Advance (3.1x3.1) 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.61324 | 5.61324 |
- 库存: 5
- 单价: ¥5.61325
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.61
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规格参数
- 宽（英寸） 72
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 8-PowerVDFN
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23 nC@10 V
- 供应商设备包装 8-TSON Advance (3.1x3.1)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 17A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2000 pF@30 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@200A.
- 导通电阻 Rds(ON) 11.4欧姆@8.5A，10V
- 最大功耗 700mW (Ta), 30W (Tc)
TPN11006NL,LQ 产品详情
U-MOS-H是第八代高速沟槽结构MOSFET。U-MOS-H是一种高效MOSFET系列，专门设计用于AC-DC和DC-DC电源的二次侧。U-MOS-H采用最新的沟槽MOS工艺和优化的单元设计制造，在导通电阻和电容（如输入、反向传输和输出电容）之间实现了出色的权衡。U-MOS-H将有助于提高电源的效率。
TPN11006NL,LQ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TPN-60 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | TELPOWER FUSE | ¥789.13568 |
| TPN-1 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | TELPOWER FUSE | ¥503.23669 |
| TPN-10 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | TELPOWER FUSE | ¥503.23669 |
| TPN-12 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | TELPOWER FUSE | ¥503.23669 |
| TPN-15 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | TELPOWER FUSE | ¥503.23669 |
| TPN-3 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | TELPOWER FUSE | ¥503.23669 |
| TPN-5 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | TELPOWER FUSE | ¥503.23669 |
| TPN-6 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | TELPOWER FUSE | ¥503.23669 |
| TPN-20 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | TELPOWER FUSE | ¥507.93009 |
| TPN-25 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | TELPOWER FUSE | ¥507.93009 |
TPN11006NL,LQ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TPN11006NL,LQ 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TPN11006NL,LQ价格参考￥5.613248，你可以下载 TPN11006NL,LQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TPN11006NL,LQ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
