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CSD18503Q5A是MOSFET N-CH 40V 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，功率最大值为3.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为2640pF@220V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为19A（Ta），100A（Tc），最大Id Vgs为4.3mOhm@22A，10V，Vgs最大Id为2.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为32nC@10V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为145A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.8V，Rds漏极源极电阻为6.2mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为26nC。
CSD18503KCS是MOSFET 40V N-Ch NexFET功率MOSFET，包括1.9 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型开启延迟时间设计为5.7 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD18503KCS，上升时间为5.3 ns，漏极-源极电阻Rds为6.8 mOhm，Qg栅极电荷为30 nC，Pd功耗为143 W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为130 A，正向跨导最小值为98 S，下降时间为6.8 ns，配置为单一。
CSD18502Q5BT是“TI制造的MOSFET 40-V。CSD18502Q 5BT可在VSON-8封装中获得，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持”MOSFET 40-V、Trans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8引脚VSON-CLIP EP T/R、MOSFET 40-V、N沟道NexFET？功率MOSFET 8-VSON-CLIP-55至150。
