9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17302Q5A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17302Q5A参考价格为1.12000美元。德州仪器CSD17302Q5A封装/规格：MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON。您可以下载CSD17302Q5A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD16570Q5BT是MOSFET 25V NCH NexFET Pwr MOSFET，包括CSD16570Q 5系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000847盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于NexFET，以及VSON-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为195 W，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为72 ns，上升时间为43 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为456A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为590uOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为156ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为192nC。
CSD17301Q5A是MOSFET N-CH 30V 28A 8SON，包括1.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及NexFET商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CSD17301Q5A，器件的上升时间为16.2纳秒，器件的漏极-源极电阻为3 mOhms，Qg栅极电荷为19 nC，Pd功耗为3.2 W，封装为卷轴式，封装外壳为VSON-FET-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为28 A，下降时间为10.5 ns，配置为单一。
CSD17301带有TI制造的电路图。CSD17301采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
