9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7110DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7110DN-T1-E3参考价格为1.94000美元。Vishay Siliconix SI7110DN-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8。您可以下载SI7110DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI7110DN-T1-E3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI7108DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SI7108DN-GE3的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET/PPowerPAK以及PowerPAK-1212-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为3.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏极电流为22A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SI7108DN-TI-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI7108DN-TI-E3在POWERPAK1212-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI7110DN，带有VISHAY制造的电路图。SI7110DN采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
