9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR836DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR836DP-T1-GE3参考价格为0.87000美元。Vishay Siliconix SIR836DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8。您可以下载SIR836DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SIR826DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIR826DP-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为104W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为80V，输入电容Cis-Vds为2900pF@40V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为60A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4.8mOhm@20A、10V，Vgs的最大Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为90nC@10V，Pd功耗为104W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为8 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，Vgs第h栅极-源极端电压为2.8 V，Rds导通漏极-源极电阻为4.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为27.9nC，正向跨导最小值为80S，沟道模式为增强。
SIR826ADP-T1-GE3是MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8，包括1.2 V至2.8 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，典型开启延迟时间设计为16 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以ThunderFET TrenchFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为SIRxxxADP，上升时间为15 ns，漏极源极电阻Rds为5.5 mOhms，Qg栅极电荷为86 nC，Pd功耗为104 W，封装为Reel，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为60 A，正向跨导最小值为68 S，下降时间为8 ns，配置为单一。
SiR836DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SiR836DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
