9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP3160L-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP3160L-7参考价格为0.47000美元。Diodes Incorporated DMP3160L-7封装/规格：MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3。您可以下载DMP3160L-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP3130L-7是MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23，包括DMP3130系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为700mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为432pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为77 mOhm@4.2A，10V，Vgs的最大Id为1.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V，Pd功耗为1.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6.5 ns，上升时间为6.5ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为3.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为27.8ns，典型导通延迟时间为4.6ns，沟道模式为增强型。
DMP3130L-7-F，带有DIODES制造的用户指南。DMP3130L-7-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
DMP3130LQ-7是“MOSFET P-CH。MOSFET BVDSS：25V-30V，由Diodes制造。DMP3130LZ-7采用SOT-23封装，是晶体管-FET、MOSFET-Single的一部分，并支持”MOSFET P-CH。MOSFET BVDSS：25V-30V，P沟道30V 3.5A（Ta）700mW（Ta）表面安装SOT-23，Trans MOSFET P-CH 30V 3.5V汽车3引脚SOT-23 T/R，MOSFET P-CH。MOSFET BVDSS：25V-30V，AEC-Q101。
