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SI4463BDY是MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm@10V，包括卷轴封装，它们设计用于SI4463BDY-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为75 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为9.8 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds漏极源极电阻为11mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为115ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强型。
SI4463BDY-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35纳秒，典型的关闭延迟时间设计为115纳秒，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在60 ns上升时间内提供，器件具有11 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.5 W，零件别名为SI4463BDY-E3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为9.8 A，下降时间为60 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4463BDY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI4463BDY-T1采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
