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PSMN022-30PL,127是MOSFET N-CH 30V TO220AB,包括管封装,它们设计用于与to-220-3封装盒一起工作,其工作温度范围为-55°C ~ 175°C(TJ),提供安装类型的功能,如通孔,供应商设备封装设计用于to-220AB,以及MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型,该器件还可以用作41W最大功率。此外,漏极到源极电压Vdss为30V,该器件提供447pF@15V输入电容Cis-Vds,该器件具有FET特性的逻辑电平门,25°C的电流连续漏极Id为30A(Tc),最大Id Vgs的Rds为22mOhm@5A,10V,Vgs th最大Id为2.15V@1mA,栅极电荷Qg-Vgs为9nC@10V。
PSMN022-30PL是NXP/PH制造的MOSFET N-CH 30V TO220AB。PSMN022-30PL在TO-220-3封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 30V TO220AB。
PSMN025-100D,带有NXP制造的电路图。PSMN025-100D采用TO-252封装,是FET的一部分-单个。
PSMN025-100D+118,带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN025-100D+118在TO-252封装中提供,是FET的一部分-单个。