9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7898DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7898DP-T1-E3参考价格$1.91000。Vishay Siliconix SI7898DP-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8。您可以下载SI7898DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7894ADP-T1-GE3是MOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm@10V，包括卷筒包装，它们设计用于SI7894ADP-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SO-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.9 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为17 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极-源极电阻为3.6mOhm，晶体管极性为N沟道。
SI7898DP带有SI制造的用户指南。SI7898D可采用QFN-8封装，是FET的一部分-单体。
SI7898DP-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8引脚PowerPAK SO T/R。SI7898DP-T1采用QFN封装，是FET的一部分-单个，支持Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8引脚PowerPAK SO T/R。
