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PSMN1R5-30YLC，115是MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8、，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作179W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供4044pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有逻辑电平门，4.5V FET驱动功能，25°C的电流连续漏极Id为100A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1.55 mOhm@25A，10V，Vgs th Max Id为1.95V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为65nC@10V。
带有NXP制造的用户指南的PSMN1R5-30YL。PSMN1R5-30YL在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN1R5-30YLC，带有NXP制造的电路图。PSMN1R5-30YLC在SOT-669封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN1R5-30YLC@115NXP制造的EDA/CAD模型。是IC芯片的一部分。
