9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PSMN012-60MSX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN012-60MSX参考价格为0.82000美元。Nexperia USA Inc.PSMN012-60MSX封装/规格：MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33。您可以下载PSMN012-60MSX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PSMN012-100YS，115是MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8、，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作130W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为100V，该器件提供3500pF@50V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为60A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为12mOhm@15A、10V，Vgs th最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为64nC@10V。
PSMN011-80YS，115是MOSFET N-CH 80V LFPAK，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK、Power-SO8供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于11 mOhm@25A，10V，提供功率最大功能，如117W，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及SC-100、SOT-669，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2800pF@40V输入电容Cis-Vds，器件具有45nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为80V，25°C电流连续漏极Id为67A（Tc）。
PSMN012-100YS，带有NXP制造的电路图。PSMN012-100YS采用LFPAK封装，是FET的一部分-单体。
