9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17552Q5A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17552Q5A参考价格1.15000美元。德州仪器CSD17552Q5A封装/规格：MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON。您可以下载CSD17552Q5A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD17552Q3A是MOSFET N-CH 30V 15A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为在8-PowerVDFN以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有8-SON（3.3x3.3）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.6W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为2050pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为15A（Ta），60A（Tc），Rds On最大Id Vgs为6 mOhm@11A，10V，Vgs th最大Id为1.9V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12nC@4.5V，Pd功耗为2.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.4 ns，上升时间为7.4nS，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型导通延迟时间为7.2ns，Qg栅极电荷为9nC，正向跨导Min为106S。
CSD17551Q3A是MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在1.6V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如30 V，典型的开启延迟时间设计为8 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有技术Si，供应商器件封装为8-SON（3.3x3.3），系列为NexFET？，上升时间为24 ns，Rds On Max Id Vgs为9 mOhm@11A，10V，Rds On漏极-源极电阻为11.8 mOhm，Qg栅极电荷为6 nC，功率最大值为2.6W，Pd功耗为2.6 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerVDFN，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为1370pF@15V，Id连续漏极电流为48A，栅极电荷Qg-Vgs为7.8nC@4.5V，正向跨导最小值为101S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为3.4ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），配置为单一。
CSD17551Q5A是MOSFET N-CH 30V 8SON，包括单一配置，它们设计为在48 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作VSON-FET-8封装盒。此外，包装为Reel，器件提供3 W Pd功耗，器件具有6 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为11 mOhms，系列为CSD17551Q5A，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、Vds漏极源极击穿电压为30 V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第二栅极-源极端电压为1.7V。
