9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4190ADY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4190ADY-T1-GE3价格参考1.95000美元。Vishay Siliconix SI4190ADY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO。您可以下载SI4190ADY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4186DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI4186DY-GE3中使用的零件别名，该SI4186DY_GE3提供单位重量功能，例如0.019048盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数量的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为6W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为3630pF@10V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为35.8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2.6mOhm@15A，10V，Vgs的最大Id为2.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为90nC@10V，Pd功耗为6.0W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为16ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为35.8A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第栅极-源阈值电压为2.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型导通延迟时间为29ns，Qg栅极电荷为60nC。
SI4188DY-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI4188DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SI418DY，带有SI制造的电路图。SI418DY在SOP封装中提供，是IC芯片的一部分。
