SI1416EDH-T1-BE3

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
• 漏源电压标 (Vdss) 30伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
• 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC@10 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@250A.
• 供应商设备包装 SC-70-6
• 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 最大功耗 1.56W（Ta），2.8W（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 58毫欧姆 @ 3.1A, 10V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)