9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2010UFG-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2010UFG-7参考价格为0.91000美元。Diodes Incorporated DMP2010UFG-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333。您可以下载DMP2010UFG-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP2008UFG-7带有引脚细节，包括DMP2008系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerDI-3333以及Si技术，该设备也可作为1信道数信道使用。此外，该配置为单四漏极，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2.2W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为124 ns，上升时间为33 ns，Vgs栅源电压为8 V，并且Id连续漏极电流为-12A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-0.4V至-1V，Rds导通漏极-漏极电阻为17mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为291ns，典型导通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为75nC，并且前向跨导Min为42S，并且信道模式为增强。
DMP2010UFG-13，带有用户指南，包括-400 mV Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.002540 oz，典型开启延迟时间设计为9.7 ns，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在DMP2010系列中提供，该器件的上升时间为30 ns，漏极-源极电阻Rds为12.5 mOhms，Qg栅极电荷为103 nC，Pd功耗为900 mW，封装为卷轴式，封装盒为PowerDI-3333，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-42 A，下降时间为110 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带电路图的DMP200K-7 DMP200K-7以SOT-23封装形式提供，是IC芯片的一部分。
