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PSMN075-100MSEX是MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于SOT-1210，8-LFPAK3（5引线），提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为LFPAK33，该设备为单配置，该设备具有MOSFET N沟道、FET型金属氧化物，最大功率为65W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为773pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为18A（Tj），Rds On Max Id Vgs为71 mOhm@5A，10V，Vgs th Max Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为16.4nC@10V，Pd功耗为65W，下降时间为6.2ns，上升时间为5.8ns，Id连续漏极电流为18A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs th-栅极-源极阈值电压为3.3V，Rds导通漏极-源极电阻为71mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12.4ns，典型接通延迟时间为5.5ns，Qg栅极电荷为16.4nC。
PSMN0R7-25YLDX带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
PSMN085-150K是NXP制造的MOSFET N-CH 150V 3.5A SOT96-1。PSMN085-150K采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 150V 3.5A SOT96-1。
