9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2328DS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2328DS-T1-GE3参考价格为0.90000美元。Vishay Siliconix SI2328DS-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3。您可以下载SI2328DS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2328DS-T1-E3是MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2328DS-M3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为730mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极到源极电压Vdss为100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.15A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为250 mOhm@1.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5nC@10V，Pd功耗为730 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为11纳秒，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds导通-漏极电阻为250毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9 ns，典型的开启延迟时间为7ns，信道模式为增强。
SI2328DS，带有VISHAY制造的用户指南。SI2328DS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
SI2328DS-T1是科信制造的Trans-MOSFET N-CH 100V 1.15A 3引脚SOT-23 T/R。SI2328DS-T1在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3引脚SOT-23 T/R。
