PMCB60XNZ

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
• 漏源电压标 (Vdss) 30伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@250A.
• 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
• 包装/外壳 SC-101，SOT-883
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V
• 供应商设备包装 SOT-883
• 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 4A, 4.5V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 241 pF@15 V
• 最大功耗 480mW (Ta), 7W (Tc)