9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BUK9Y8R7-60E，115，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK9Y8R7-60E，115参考价格$1.25000。Nexperia USA Inc.BUK9Y8R7-60E，115封装/规格：MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56。您可以下载BUK9Y8R7-60E，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如BUK9Y8R7-60E，115价格，库存数量，数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BUK9Y8R5-80EX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作，数据表说明中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-4提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及单配置，该设备也可以用作1个N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为238 W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，第Vgs栅极源极阈值电压为1.7 V，Rds漏极-源极电阻为6.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为82ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为54.7nC，沟道模式为增强。
BUK9Y53-100B/C2，带有NXP制造的用户指南。BUK9Y53-100B/C2采用SOT669封装，是IC芯片的一部分。
BUK9Y65-100E，115，电路图由NEXPERIA制造。是IC芯片的一部分，N沟道100V 19A（Tc）64W（Tc）表面贴装LFPAK56，Power-SO8，Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 5引脚（4+Tab）LFPAK T/R，MOSFET N沟道100 V 65 mo FET。
BUK9Y7R6-40E，带有NXP制造的EDA/CAD模型。BUK9Y7R6-40E在-封装中提供，是FET-单体的一部分。
