9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR170DP-T1-RE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR170DP-T1-RE3参考价格$2.2000。Vishay Siliconix SIR170DP-T1-RE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK。您可以下载SIR170DP-T1-RE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR166DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR166DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为48 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为40 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.2V至2.2V，Rds漏极源极导通电阻为2.6mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为51nC，正向跨导Min为75S。
SIR168DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作SIRxxxDP系列。此外，Rds漏极-源极电阻为4.4 mOhm，器件提供34.7 W Pd功耗，器件具有SIR168DP-GE3部件别名，封装为卷筒，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为40 A，配置为单一。
SIR172，带有VISHAY制造的电路图。SIR172在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
SIR17-21C/TR8，带有EVERLIGHT制造的EDA/CAD模型。是IC芯片的一部分。
