说明
所附的spice模型描述了p沟道垂直DMOS的典型电特性。在脉冲0 V至5 V栅极驱动下,在−55至125°C温度范围内提取并优化了子电路模型。饱和输出阻抗最适合阈值电压附近的栅极偏置。一种新颖的栅极-漏极反馈电容网络用于模拟栅极电荷特性,同时避免了开关Cgd模型的收敛困难。所有模型参数值都经过优化,以提供与测量电气数据的最佳拟合,而不是作为设备的精确物理解释。
特征
•根据IEC 61249-2-21定义,无卤素
•TrenchFET®功率MOSFET
•100%Rg测试
•符合RoHS指令2002/95/EC
(图片:引出线)