9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4896DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4896DY-T1-GE3参考价格为2.04000美元。Vishay Siliconix SI4896DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO。您可以下载SI4896DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4896DY-T1-E3是MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名显示在数据表注释中，用于SI4896DY E3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.56W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为80V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为6.7A（Ta），最大Id Vgs的Rds为16.5 mOhm@10A，10V，Vgs的最大Id为2V@250μA（Min），栅极电荷Qg Vgs为41nC@10V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为11纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.5A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds导通漏极-电源电阻为16.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为17ns，沟道模式为增强。
SI4896DY是由SI制造的Trans-MOSFET N-CH 80V 6.7A 8引脚SOIC N。SI4896D可在SOP-8封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持Trans-MOSMOSFET N-CH 80 V 6.7A 8-Pin SOIC N。
SI4896DY-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8引脚SOIC N T/R。SI4896DY-T1在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个，支持Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8引脚SOIC N T/R。
