9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8457DB-T1-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8457DB-T1-E1参考价格0.63000美元。Vishay Siliconix SI8457DB-T1-E1封装/规格：MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT。您可以下载SI8457DB-T1-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI8457DB-T1-E1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI8401AB-B-IS是DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC，包括SI8401AB系列，它们设计用于数字隔离器产品，类型如用于I2C的数据表注释所示，提供管交替包装等包装功能，单位重量设计为0.001764盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）包装箱。此外，该技术为电容耦合，其工作温度范围为-40°C~125°C，设备有2个通道，电压供应为3 V~5.5 V，供应商设备包为8-SOIC，通道类型为双向，电压隔离为2500Vrms，隔离功率为No，输入侧1侧2为2016/2/2 0:00:00，共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs（Typ），Pd功耗为220mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，极性为双向，隔离类型为电容耦合，工作电源电流为3.9mA，支持的协议为I2C，电源电压最大值为5.5V，并且电源电压Min为3V并且传播延迟时间为20ns。
SI8401AB-B-ISR是DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC，包括3V~5.5V电压源，它们设计用于2500Vrms电压隔离，类型如数据表说明所示，用于I2C，提供电容耦合等技术功能，电源电压最小值设计用于3V，以及5.5V电源电压最大值，该器件也可以用作8-SOIC供应商器件封装。此外，该系列为Si8401AB，该设备提供I2C协议支持，该设备具有产品数字隔离器，极性为双向，Pd功耗为220mW，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），其工作温度范围为-40°C~125°C，通道数量为2，隔离类型为电容耦合，隔离功率为否，输入侧1侧2为2016/2/2 0:00:00，共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs（Typ），通道类型为双向。
SI8401DB-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI8401DB-T1在BGA-4封装中提供，是FET的一部分-单个。
