9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8424CDB-T1-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8424CDB-T1-E1参考价格为0.65000美元。Vishay Siliconix SI8424CDB-T1-E1封装/规格：MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT。您可以下载SI8424CDB-T1-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI8423BD-D-ISR，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q100系列，设计用于通用型。数据表注释中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供封装外壳功能，如16-SOIC（0.295英寸，7.50mm宽），该技术设计用于电容耦合，其工作温度范围为-40°C~125°C，该设备也可以用作2个通道。此外，电压供应为2.7V~5.5V，该设备采用16-SOIC供应商设备包提供，该设备具有150Mbps的数据速率，信道类型为单向，电压隔离为5000Vrms，升降时间Typ为2ns、2ns，隔离功率为No，输入侧1侧2为2000/2/1 0:00:00，共模瞬态抗扰度最小值为20kV/μs，传播延迟tpLH tpHL Max为11ns，11ns，脉宽失真Max为3ns。
带有用户指南的SI8423BD-D-IS，包括2.7V~5.5V电压源，设计用于5000Vrms电压隔离，类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供电容耦合等技术功能，供应商设备包设计用于16-SOIC以及汽车AEC-Q100系列，该设备也可以用作2ns，2ns升降时间典型值。此外，脉宽失真最大值为3ns，该器件提供11ns，11ns传播延迟tpLH tpHL Max，该器件具有管交替封装，封装外壳为16-SOIC（0.295“，7.50mm宽），工作温度范围为-40°C~125°C，信道数为2，隔离功率为No，输入侧1侧2为2000/2/1 0:00:00，数据速率为150Mbps，共模瞬态抗扰度最小值为20kV/μs，信道类型为单向。
SI8423BD-B-ISR是DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC，包括单向信道类型，它们设计为以20kV/μs共模瞬态抗扰度最小值运行，数据速率如数据表注释所示，用于150Mbps，提供输入侧1侧2功能，如2000/2/1 0:00:00，隔离功率设计为在No和2个信道下工作，其工作温度范围为-40°C~125°C。此外包装箱为16-SOIC（0.295英寸，7.50mm宽），该设备以磁带和卷轴（TR）形式提供封装，该器件具有11ns、11ns的传播延迟tpLH tpHL Max，脉宽失真Max为3ns，升降时间Typ为2ns、2ns，供应商器件封装为16-SOIC，技术为电容耦合，类型为通用型，电压隔离为5000Vrms，电压供应为2.7V~5.5V。
