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SCTH40N120G2V7AG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: H2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 161.87881 161.87881
10+ 149.29065 1492.90655
100+ 133.43015 13343.01520
1000+ 133.43051 133430.51500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥160.14052
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥161.88
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规格参数

  • 宽(英寸) forty-eight
  • 长(英寸) 72
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 包装/外壳 到263-8,DPak(7引线+接线片),TO-263CA
  • 最大功耗 250W(Tc)
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 18伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 33A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 1毫安
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +22伏、-10伏
  • 供应商设备包装 H2PAK-7
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 63 nC @ 18 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 105毫欧姆@20A,18V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1230 pF@800 V

SCTH40N120G2V7AG 产品详情

SCTH40N120G2V7AG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SCTH40N120G2V7AG 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SCTH40N120G2V7AG价格参考¥160.140519,你可以下载 SCTH40N120G2V7AG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SCTH40N120G2V7AG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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