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FMD15-06KC5

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 供应商设备包装: ISOPLUS i4 PAC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 133.92122 133.92122
10+ 123.06411 1230.64114
100+ 103.93633 10393.63390
500+ 92.45866 46229.33050
1000+ 86.95173 86951.73900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥133.92122
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥133.92
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规格参数

  • 宽(英寸) forty-eight
  • 长(英寸) 72
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15A(Tc)
  • 最大功耗 -
  • 包装/外壳 ISOPLUSi5 Pak
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 52 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 165毫欧姆@12A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V @ 790A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2000 pF@100 V
  • 供应商设备包装 ISOPLUS i4 PAC
  • 材质 -

FMD15-06KC5 产品详情

这些基于超级结技术的功率MOSFET具有600V-800V级MOSFET中最低的RDS(开启)。内部DCB隔离简化了组装,并降低了从接头到散热器的热阻。这些设备具有雪崩等级,从而保证了坚固的操作。

特色

  • 直接铜键合衬底上的硅片
  • 快速CoolMOS™(1) 功率MOSFET第四代
  • 增强的总功率密度
  • HiPerDyn公司™ 弗雷德

应用

  • 开关模式电源
  • 不间断电源
  • 功率因数校正(PFC)

优势:

  • 易于组装
  • 节省空间
  • 高功率密度
  • 高可靠性
(1) CoolMOS公司™ 是英菲诺科技股份公司的商标。
FMD15-06KC5所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FMD15-06KC5 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FMD15-06KC5价格参考¥133.921221,你可以下载 FMD15-06KC5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FMD15-06KC5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

艾赛斯.力特 (IXYS)

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