9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF840PBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF840PBF-BE3参考价格为2.03000美元。Vishay Siliconix IRF840PBF-BE3封装/规格：MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB。您可以下载IRF840PBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF8313TRPBF是MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为760pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为9.7A，最大Id Vgs上的Rds为15.5mOhm@9.7A，10V，Vgs最大Id为2.35V@25μA，栅极电荷Qg-Vgs为9nC@4.5V，Pd功耗为2W，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为9.7A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为21.6mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为6nC。
IRF8327STRBF是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 14A SQ。IRF8327STRPBF可用于DirectFET™ 等距SQ封装是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 14A SQ、Trans MOSFET N-CH30V 14B 6引脚直接FET SQ T/R。
IRF833，电路图由三星制造。IRF833采用TOP-3P封装，是IC芯片的一部分。
