9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP224N08NF2SAKMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP224N08NF2SAKMA1参考价格为3.19000美元。Infineon Technologies IPP224N08NF2SAKMA1包装/规格：TRENCH 40<-<100V。您可以下载IPP224N08NF2SAKMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP223NE7N3GXKSA1是MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3，包括XPP023NE7系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于G IPP223NE 7N3 IPP223ne7N3GXK SP000641722的零件别名，该产品提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于OptiMOS，以及to-220-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用1 N信道配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为155nC，正向跨导最小值为98S，并且信道模式是增强。
IPP223N10N5AKSA1，带用户指南，包括2.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.211644 oz，典型开启延迟时间设计为33 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有26 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为2.8 mOhms，Qg栅极电荷为168 nC，Pd功耗为375 W，部件别名为IPP223N10N5 SP001120504，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为120 A，正向跨导最小值为124 S，下降时间为29 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP2023NE7N3 G是MOSFET N-CH 75V 120A TO220，包括单一配置，它们设计为在120 a Id连续漏电流下工作，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，包装为Tube，该器件以IPP223NE7N3GXK IPP223NE 7N3GXKSA1 SP000641722零件别名提供，该器件具有300W的Pd功耗，漏极电阻Rds为2.3mOhm，系列为OptiMOS 3，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPP223NE7N3，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP223NE7N3采用TO-220封装，是FET的一部分-单个。
