9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2319CDS-T1-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2319CDS-T1-BE3参考价格为0.60000美元。Vishay Siliconix SI2319CDS-T1-BE3封装/规格：MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23。您可以下载SI2319CDS-T1-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI2319CDS-T1-BE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI2318DS-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2318DS GE3的零件别名，该SI2318DS-GE3提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为750mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为540pF@20V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为45 mOhm@3.9A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@10V，Pd功耗为750 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为15 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为45 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为5ns，信道模式为增强。
SI2319带有SI制造的用户指南。SI2319采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
Si2319CDS，带有VISHAY制造的电路图。Si2319CDS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
