9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW7N90K5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW7N90K5参考价格$3.23000。STMicroelectronics STW7N90K5封装/规格：MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3。您可以下载STW7N90K5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW78N65M5是MOSFET N-CH 650V 69A TO247，包括MDmesh？V系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于MDmesh，以及to-247-3包装箱，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-247，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为450W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为650V，输入电容Cis-Vds为9000pF@100V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为69A（Tc），最大Id Vgs的Rds为32 mOhm@34.5A，10V，Vgs的最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为203nC@10V，Pd功耗为450 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为14ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为69A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs第h栅极-源阈值电压为4V，Rds漏极源极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为203nC，沟道模式为增强。
STW77N65M5是MOSFET N-CH 650V 69A TO-247，包括5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于25 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如650 V，单位重量设计用于1.340411盎司，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为TO-247-3，该设备以MDmesh提供？V系列，该器件具有38 mOhm@34.5A，10V的Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为30 mOhm，Qg栅极电荷为200 nC，最大功率为400W，Pd功耗为400 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，工作温度范围为150°C（TJ），安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+125℃，输入电容Cis-Vds为9800pF@100V，Id连续漏极电流为69 A，栅极电荷Qg Vgs为200nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为650V，25°C的电流连续漏电流Id为69A（Tc）。
带有电路图的STW7N105K5，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了25 ns的下降时间，提供了Id连续漏电流特性，如4 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为110W，Qg栅极电荷为17nC，Rds漏极源极电阻为2欧姆，上升时间为7ns，系列为MDmesh K5，技术为Si，晶体管极性为N信道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为17.5ns，单位重量为1.340411oz，Vds漏极-源极击穿电压为1050V，Vgs栅源极电压为30V，Vgsth栅源极阈值电压为3V。
STW77N60M5，带有ST制造的EDA/CAD模型。STW77N80M5采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
