SCTW40N120G2VAG

Name: SCTW40N120G2VAG
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7142913-SCTW40N120G2VAG
Price: 165.645123 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 1200伏漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 290W（Tc）供应商设备包装: HiP247 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
场效应管特性 -
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压标 (Vdss) 1200伏
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 18伏
漏源电流 (Id) @ 温度 33A (Tc)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 1毫安
最大功耗 290W（Tc）
工作温度 -55摄氏度~200摄氏度（TJ）
供应商设备包装 HiP247
最大栅源极电压 (Vgs) +22伏、-10伏
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 63 nC @ 18 V
导通电阻 Rds(ON) 105毫欧姆@20A，18V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1230 pF@800 V

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SCT-0750-070	安代纳米 (Aim Dynamics)	电流检测: 70A 精确度: ±1% 用来测量: 交流电工作温度: -20摄氏度~110摄氏度	¥276.70325
SCT-0750-200	安代纳米 (Aim Dynamics)	电流检测: 200A 精确度: ±1% 用来测量: 交流电工作温度: -20摄氏度~110摄氏度	¥276.70325

SCTW40N120G2VAG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SCTW40N120G2VAG 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SCTW40N120G2VAG价格参考￥165.645123，你可以下载 SCTW40N120G2VAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SCTW40N120G2VAG规格参数、现货库存、封装信息等信息！