SCTWA60N120G2-4
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 388W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度(TJ)
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 238.50869 | 238.50869 |
10+ | 219.95963 | 2199.59630 |
25+ | 216.24981 | 5406.24542 |
- 库存: 0
- 单价: ¥216.78000
-
数量:
- +
- 总计: ¥238.51
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 安装类别 通孔
- 技术 SiCFET(碳化硅)
- 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 供应商设备包装 TO-247-4
- 包装/外壳 至247-4
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 18伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 1毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
- 工作温度 -55摄氏度~200摄氏度(TJ)
- 最大栅源极电压 (Vgs) +22伏、-10伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 94 nC @ 18 V
- 导通电阻 Rds(ON) 52毫欧姆 @ 30A, 18V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1969 pF@800 V
- 最大功耗 388W (Tc)
SCTWA60N120G2-4所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SCTWA60N120G2-4 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SCTWA60N120G2-4价格参考¥216.779997,你可以下载 SCTWA60N120G2-4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SCTWA60N120G2-4规格参数、现货库存、封装信息等信息!
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...