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CSD17556Q5B是MOSFET N-CH 30V 8-VSON，包括CSD17556Q 5B系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-Clip-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为218 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.4V，Rds导通-漏极-漏极电阻为1.8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为28.5nC，正向跨导最小值为197S。
CSD17555Q5A是MOSFET 30V N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道，以及NexFET商品名，该设备也可以用作Si技术。此外，该系列为CSD17555Q5A，该器件提供3.4 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有23 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为3 W，封装为卷轴式，封装盒为VSON-FET-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为100 A，配置为单一。
CSD17556Q5BT是MOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷轴封装一起工作，系列如数据表注释所示，用于CSD17556Q 5B，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
