SCTWA90N65G2V-4

规格参数

• 长（英寸） ninety-six
• 宽（英寸） thirty-six
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 场效应管特性 -
• 安装类别 通孔
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
• 包装/外壳 至247-3
• 技术 SiCFET（碳化硅）
• 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
• 漏源电压标 (Vdss) 650 V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 1毫安
• 工作温度 -55摄氏度~200摄氏度（TJ）
• 最大栅源极电压 (Vgs) +22伏、-10伏
• 最大功耗 565W (Tc)
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 157 nC@18 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3380 pF @ 400 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 119A（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@50A，18V
• 供应商设备包装 HiP247长期潜在客户
• 材质 -