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LSIC1MO120G0025

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 力特 (Littelfuse)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 319.84646 319.84646
10+ 298.42196 2984.21966
100+ 259.10967 25910.96770
  • 库存: 0
  • 单价: ¥319.84646
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥319.85
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 20伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100A(Tc)
  • 包装/外壳 至247-4
  • 供应商设备包装 TO-247-4L
  • 最大功耗 500W (Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +22V、-6V
  • 制造厂商 力特 (Littelfuse)
  • 导通电阻 Rds(ON) 32毫欧姆 @ 50A, 20V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 30毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 265 nC@20 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 495 pF @ 800 V
  • 材质 -

LSIC1MO120G0025 产品详情

Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO120E0080提供了传统1200V级功率晶体管无法提供的低导通电阻和超低开关损耗的组合。第一个SiC MOSFET的坚固设计适应更广泛的高温应用。较小的散热器和增加的功率密度产生了更高的效率,而较小的无源滤波器和增加的能量密度产生了较高的开关频率。根据电压/电流额定值,该器件具有较小的管芯尺寸。

特色

  • 针对高频、高效应用进行了优化
  • 极低的栅极电荷和输出电容
  • 用于高频开关的低栅极电阻
  • 所有温度下的常闭操作
  • 超低导通电阻

应用

  • 太阳能转化器
  • 开关模式电源
  • UPS系统、电机驱动
  • 高压DC/DC转换器
  • 电池充电器和感应加热
LSIC1MO120G0025所属分类:分立场效应晶体管 (FET),LSIC1MO120G0025 由 力特 (Littelfuse) 设计生产,可通过久芯网进行购买。LSIC1MO120G0025价格参考¥319.846464,你可以下载 LSIC1MO120G0025中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询LSIC1MO120G0025规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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