9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF4LN80K5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF4LN80K5参考价格为1.72000美元。STMicroelectronics STF4LN80K5封装/规格：MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP。您可以下载STF4LN80K5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF45N65M5是MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP，包括MDmesh？V系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220FP，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为40W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为650V，输入电容Cis-Vds为3375pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为35A（Tc），最大Id Vgs的Rds为78mOhm@19.5A，10V，Vgs最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为91nC@10V，Pd功耗为40W，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，漏极-漏极电阻为78m欧姆，晶体管极性为N沟道。
STF45N10F7是MOSFET N-Ch 100V 0.0145 Ohm（典型值30A STripFET VII），包括4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.011640 oz，典型开启延迟时间设计为15 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的N沟道STripFET，上升时间为17ns，Rds漏极-源极电阻为18mOhm，Qg栅极电荷为25nC，Pd功耗为25W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1沟道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为30 A，下降时间为8 ns，配置为单一。
STF43N60DM2是MOSFET，包括增强型沟道模式，它们设计为在1 N沟道配置下工作，数据表注释中显示了6 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如34 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220FP-3封装盒，该器件具有40W的Pd功耗，Qg栅极电荷为56nC，Rds漏极-源极电阻为93mOhm，上升时间为27ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，典型关断延迟时间为85ns，典型的导通延迟时间为29ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅源极电压为+/-25V，Vgsth栅源极阈值电压为3V。
STF4A60F，带有SeniWell制造的EDA/CAD模型。STF4A60F采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
