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IRFIZ48GPBF是MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供50 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为250 ns，上升时间为250纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为37 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极漏极-漏极电阻为18m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为210ns，典型接通延迟时间为8.1ns，沟道模式为增强。
IRFIZ48G是由IR制造的N通道60V 37A（Tc）50W（Tc）通孔TO-220-3。IRFIZ48G以TO220F封装形式提供，是IC芯片的一部分，并支持N通道60A 37A（Tc）50W。
IRFIZ48N是由IR制造的MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP。IRFIZ4 8N可用于TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH55V 36A-TO220FP、N沟道55V 36B（Tc）42W（Tc）通孔TO-220AB全封装。
