9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRLR120PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLR120PBF价格参考1.73000美元。Vishay Siliconix IRLR120PBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK。您可以下载IRLR120PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRLR120NTRPBF是MOSFET N-CH 100V 10A DPAK，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为48W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为440pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为10A（Tc），最大Id Vgs的Rds为185 mOhm@6A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@5V，Pd功耗为39 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为35ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为265mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为13.3nC，信道模式是增强。
IRLR120NTRLPBF是MOSFET N-CH 100V 10A DPAK，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作265毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为13.3 nC，该器件提供39 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为11 a。
IRLR120NTRR是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 10A DPAK。IRLR120NDRR可提供TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 10A DPIK，N沟道100V 10A（Tc）48W（Tc）表面安装D-Pak。
