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RSS065N06FU6TB是MOSFET MOSFET;30V 6.5A N信道,包括RSS065N06系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.030018盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于SOP-8,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供2 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为20 ns,上升时间为25 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为6.5 A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Rds漏极漏极-漏极电阻为31mOhm,晶体管极性为N沟道,典型的关断延迟时间为60ns,典型的接通延迟时间为13ns,Qg栅极电荷为11nC,正向跨导Min为4s。
RSS065N06,带有ROHM制造的用户指南。RSS065N06在SOP-8封装中提供,是FET的一部分-单个。
RSS065N06FW6TB1,电路图由ROHM制造。RSS065N06FW6TB1在SOP8封装中提供,是IC芯片的一部分。