SSM3J66MFV,L3F

规格参数

• 长（英寸） 72
• 宽（英寸） thirty-six
• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 场效应管类型 P-通道
• 漏源电压标 (Vdss) 20伏
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
• 最大功耗 150mW（Ta）
• 包装/外壳 SOT-723
• 漏源电流 (Id) @ 温度 800毫安 (Ta)
• 制造厂商 东芝 (Toshiba)
• 工作温度 150摄氏度
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.2伏、4.5伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) +6伏、-8伏
• 导通电阻 Rds(ON) 390毫欧姆 @ 800毫安, 4.5V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.6 nC @ 4.5 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 100皮法@10V
• 供应商设备包装 VESM