9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2325DS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2325DS-T1-GE3参考价格为1.05000美元。Vishay Siliconix SI2325DS-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3。您可以下载SI2325DS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2325DS-T1-E3是MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2325DS-M3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为750mW，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为510pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为530mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为1.2 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V，Pd功耗为750 mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为530 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-150 V，Rds漏极源极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强型。
SI2325DS，带有VISHAY制造的用户指南。SI2325DS采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
SI2325DS-T1，带有VIS制造的电路图。SI2325DS-T1在SOT23-3封装中提供，是FET的一部分-单个。
