9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF740STRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF740STRLPBF价格参考2.93000美元。Vishay Siliconix IRF740STRLPBF封装/规格：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK。您可以下载IRF740STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF740PBF是MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于SIHF740-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为125W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为400V，输入电容Cis-Vds为1400pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为10A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为550 mOhm@6A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为63nC@10V，Pd功耗为125 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，并且上升时间为27ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds导通漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型导通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为63nC，信道模式是增强。
IRF740SPBF是MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在400 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为27 ns，器件的漏极-源极电阻为550 mOhms，Pd功耗为3.1 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为10A，下降时间为24ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF740S是由IR制造的MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK。IRF740S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH400V 10A D2PAG、N沟道400V 10A（Tc）3.1W（Ta）、125W（Tc）表面安装D2PAK、Trans-MOSFET N-CH 400 10A 3-Pin（2+接线片）D2PAK等。
