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PSMN041-80YLX带有引脚细节,包括卷轴封装,它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作,数据表注释中显示了用于LFPAK-4的封装盒,该LFPAK-4提供Si等技术特性,通道数设计为在1通道中工作,以及三重共源配置,该设备也可以用作1 N通道晶体管类型。此外,Pd功耗为64W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-55 C,下降时间为10.5 ns,上升时间为11.2 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为25 A,Vds漏极-源极击穿电压为80 V,第Vgs栅极-源极阈值电压为1.7V,Rds漏极-源极电阻为41mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为16.1ns,典型接通延迟时间为8.6ns,Qg栅极电荷为21.9nC,沟道模式为增强。
PSMN040-200W是PHM制造的MOSFET N-CH 200V 50A SOT429。PSMN040-200W采用TO-247-3封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 200V 50A SOT429。
PSMN045-80YS,带有NXP制造的电路图。PSMN045-80YS采用SOT-669封装,是FET的一部分-单个。