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SI3483CDV-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP,包括卷轴封装,它们设计用于SI3483CDV-E3零件别名,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000705盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于TSOP-6,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 P沟道晶体管类型,该器件具有2 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为15 ns 10 ns,上升时间为135 ns 15 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为6.1A,Vds漏极-源极击穿电压为-30V,Rds导通漏极-电源电阻为34mOhms,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为25ns 30ns,典型接通延迟时间为45ns 10ns,沟道模式为增强型。
SI3482-A01-GMR是集成电路CTLR POE 24-48PORT PSE 24-QFN,包括2.7 V~3.6 V电源,它们设计为与电源管理器类型一起工作。数据表说明中显示了用于24-QFN(4x4)的供应商设备包,提供802.3at(POE+)、802.3af(POE)等标准功能,除了磁带和卷轴(TR)交替包装外,该设备还可以用作24-WFQFN暴露衬垫包装盒,其工作温度范围为-40°C~85°C,该设备以通道数量提供,该设备具有内部开关数量,电流供应为12.1mA,辅助感测为否。
SI3483CDV,带有VISHAY制造的电路图。SI3483CDV在TSOP-6封装中提供,是FET的一部分-单个。